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在無(wú)水電解質(zhì)中采用ac-SECM研究電池電極材料
  • 發(fā)布時(shí)間 : 2020-11-12 13:13:50
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  1.簡(jiǎn)介

  SECM逐漸應(yīng)用到能量?jī)?chǔ)存領(lǐng)域。本文示范了SECM在該領(lǐng)域應(yīng)用的一個(gè)特殊例子。采用ac-SECM研究美國(guó)Sion Power公司提供的電池電極的電化學(xué)活性和形貌。該測(cè)試在碳酸丙烯酯(PC)中的四丁基高氯酸銨(TBA-ClO4)中進(jìn)行。


  2.ac-SECM
  與dc-SECM不同,ac-SECM不需要氧化還原介質(zhì)和電解質(zhì)鹽。ac-SECM測(cè)試可以在自來(lái)水中進(jìn)行,而這對(duì)dc-SECM來(lái)說(shuō)是不可能的。既然ac-SECM不需要氧化還原介質(zhì)和電解質(zhì)鹽,那么它就可以用于測(cè)試那些受氧化還原介質(zhì)和電解質(zhì)鹽干擾而無(wú)法進(jìn)行SECM測(cè)試的樣品。
  此外,采用ac-SECM技術(shù)不受探針擴(kuò)散限制的影響。雖然ac-SECM對(duì)控制參數(shù)的要求更加嚴(yán)格,但其可以保持樣品完整性,測(cè)試表面電化學(xué)性能。
  當(dāng)研究新型的、復(fù)雜的系統(tǒng)時(shí),ac-SECM是有用的初始測(cè)量步驟,因?yàn)椴恍枰趸€原介質(zhì),減少了測(cè)量中的變量數(shù)。
  在ac-SECM中,阻抗響應(yīng)不僅僅由表面類(lèi)型來(lái)控制。當(dāng)逼近一個(gè)絕緣體時(shí),減少探針到樣品的距離可以引起阻抗增加。逼近導(dǎo)體時(shí),響應(yīng)則不同。
  如果一個(gè)低電導(dǎo)率電解液,或者用高頻率縮短探針到樣品的距離,會(huì)引起阻抗的減小。然而,如果高電導(dǎo)率電解液或者用低頻率來(lái)縮短探針到樣品的距離,阻抗增大。這意味著在ac-SECM中,可以通過(guò)仔細(xì)控制測(cè)量頻率來(lái)改變響應(yīng),不需要改變實(shí)驗(yàn)設(shè)置。
  一個(gè)典型的ac-SECM測(cè)試可以得到ac電流和阻抗量級(jí)的分布圖。

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  3.方法
  Sion Power電池電極用黃蠟封在PTFE中,無(wú)電連接。安裝在電解池中,加入0.1M TBAClO4溶液。選用直徑10?m的探針。對(duì)電極為Pt片,參比電極選用絲網(wǎng)印刷Ag/AgCl電極。探針和對(duì)電極之間施加0.1V vs. Ag/AgCl直流偏置,25mV交流偏置,100kHz偏置頻率。

  測(cè)量面積為500?m×500?m,步長(zhǎng)5?m。測(cè)量用時(shí)10小時(shí)33分鐘。


  4.結(jié)果
  圖1為Sion Power電池電極的SEM圖。很明顯,電極表面由明顯槽線分割的鱗片組成。這些槽線為幾十微米,可在SECM測(cè)量中明顯看到。


 做任何SECM測(cè)試之前,探針尖端都需要用頻率掃描實(shí)驗(yàn)表征一下,如圖2所示。施加在探針和對(duì)電極之間的dc偏置為100mV(vs. OCP),ac偏置為25mV。

  此外,通過(guò)測(cè)試,可以確定特定頻率下的阻抗量級(jí),與隨后的逼近曲線和面掃描進(jìn)行對(duì)比。
  ac-SECM使實(shí)驗(yàn)設(shè)置盡可能簡(jiǎn)單,避免了氧化還原介質(zhì)對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響。
  如前所述,采用ac-SECM時(shí),電解液的導(dǎo)電率和ac頻率非常重要。PC中0.1M TBA-ClO4是相對(duì)低電導(dǎo)率的電解質(zhì)(2.8mΩ-1cm-1 vs. 12.8mΩ-1cm-1的0.1M KCl溶液)[2-3],當(dāng)接近絕緣體和導(dǎo)體時(shí),阻抗都增大。然而,可以通過(guò)對(duì)探針施加高頻ac來(lái)區(qū)分二者。為了決定適合的頻率,應(yīng)用頻率每次提高一個(gè)數(shù)量級(jí),直到發(fā)現(xiàn)接近導(dǎo)體過(guò)程中阻抗降低了。實(shí)驗(yàn)中,施加給探針的偏置是100kHz,足夠大到可以引起這種降低。如圖3所示,當(dāng)接近電極時(shí),阻抗降低。這表明樣品是導(dǎo)電的。



  根據(jù)一系列的逼近曲線,確定z軸的位置,以確保電極表面的探針尖端可以獲取ac電化學(xué)活性信號(hào)。獲得的ac電流和阻抗如圖4所示。大面積的低ac電流(高阻抗)區(qū)域被小面積的高ac電流(低阻抗)區(qū)域連接。SEM圖像中可以看出這些區(qū)域就像薄片和槽線,說(shuō)明ac-SECM可以解析系統(tǒng)特征。



  圖4 (a)樣品在0.1M TBA-ClO4中的ac電流;(b)阻抗分布圖
  如圖5,可以通過(guò)橫截面測(cè)量來(lái)確定槽線和薄片的尺寸。從橫截面可以看出,槽線為90?m,薄片為410?m。這與SEM圖中的尺寸基本一致。
  SEM圖可以去除電化學(xué)活性中形貌的影響。可以看到槽線邊緣處有ac電流的升高?;赟EM圖(圖1(b)),形貌上的升高不可能是引起此電流的升高的原因,因?yàn)樵诓劬€高度迅速下降位置的旁邊,樣品幾乎是完全平整的。這表明電流的升高應(yīng)該是因?yàn)椴劬€邊緣處電化學(xué)活性的升高??赡苡捎谶吘壭?yīng),從一個(gè)面到另一個(gè)面時(shí)暴露面的增加引起局部活性的升高。
  逼近曲線進(jìn)一步證實(shí)此觀點(diǎn),測(cè)量的ac電流是電化學(xué)活性的結(jié)果,而不僅是形貌的結(jié)果。
  根據(jù)SEM圖片,槽線深度約60?m。根據(jù)逼近曲線,槽線引起約16nA的電流減少,約320kΩ的阻抗增加,比其他案例中高出一個(gè)數(shù)量級(jí)。這種期望與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的不一致說(shuō)明測(cè)量的電流和阻抗是槽線處活性改變的結(jié)果。


  5.結(jié)論
  通過(guò)ac-SECM實(shí)驗(yàn)測(cè)量了無(wú)水電解液環(huán)境中的電極。通過(guò)仔細(xì)選擇ac頻率,獲得清晰的表面響應(yīng)。此電極表面有明顯的槽線,這些槽線在阻抗和ac電流圖上都非常明顯。比較SEM圖和SECM結(jié)果,說(shuō)明槽線處存在邊緣效應(yīng),電化學(xué)活性發(fā)生改變。通過(guò)此實(shí)驗(yàn)重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)SECM眾多應(yīng)用中的一個(gè)——測(cè)量電池相關(guān)系統(tǒng)。



  參考文獻(xiàn)
  [1] ac-SECM Tutorial
  [2] G. Moumouzias, G. Ritzoulis, Journal of Solution Chemistry 1996, 25, 1271-1280.
  [3] Y.C. Wu, W.F. Koch, K. W. Pratt, Journal of Research of the National Institute of Standards and Technology 1991, 96, 191-201.

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