歐姆降為電流流過(guò)電解質(zhì)引起的電位差，在電化學(xué)中，通常是由于電解質(zhì)或其他界面的電阻引起的。

在伏安系統(tǒng)中，因?yàn)闅W姆降的影響，它的施加電位應(yīng)為E(t)=Ei+VbT-RI(t)，Ei為極化電位，Vb為掃描速率，t即為時(shí)間。

歐姆降會(huì)影響測(cè)得曲線的形狀，也能令我們的分析結(jié)果出錯(cuò)。在某些應(yīng)用中，需要特別注意歐姆降的影響。

下面的這個(gè)實(shí)驗(yàn)將展示歐姆降如何影響我們的測(cè)量結(jié)果。測(cè)試體系將旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)鉑電極（2000rpm）作為工作電極，飽和甘汞電極作為參比電極，鉑絲作為輔助電極，測(cè)試溶液為0.6mM鐵氰化鉀/0.5M KCL電解質(zhì)。測(cè)試技術(shù)為線性掃描，掃描范圍0.5V至-0.5V掃速20mV/s。

正常狀態(tài)測(cè)試一次后，在工作電極后串聯(lián)100歐姆電阻模擬歐姆降電阻再測(cè)一次。

在數(shù)據(jù)對(duì)比中可以清楚的看到歐姆降的影響，串聯(lián)電阻后的藍(lán)色曲線結(jié)果與正常測(cè)試結(jié)果對(duì)比產(chǎn)生了明顯的偏差。在相同電流時(shí)引起的電位差別就是因?yàn)榇?lián)進(jìn)體系的電阻引起的，比如在電流為-500μA時(shí)，電位分別為150mV和98mV，與我們串聯(lián)進(jìn)體系中的100歐姆電阻影響相對(duì)應(yīng)。

同樣，在循環(huán)伏安中歐姆降也會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)結(jié)果產(chǎn)生影響。

可以看到在循環(huán)伏安曲線中藍(lán)色曲線在峰電位及峰高都有一定偏差。